Подразделение | Должность |
Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл) | доцент |
Краткая биография
В 2013 году с отличием окончил бакалавриат, а в 2015 году магистратуру кафедры КФН, квалификация – магистр по направлению «Электроника и наноэлектроника».
В 2019 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование резонансов и антирезонансов в квантовых проводниках и элементах молекулярной наноэлектроники на их основе» (направление 01.04.07), кандидат физико-математических наук.
Доцент кафедры КФН с 2019 года.
Читаемые курсы
- Квантовая механика
- Статистическая физика
- Наноэлектроника (практические занятия)
Научная деятельность
Область научных интересов: теоретические методы в физике конденсированного состояния, описание квантового транспорта, в том числе и в молекулярных проводниках, нанофотоника.
Автор более 10 научных статей в рецензируемых журналах.
Наиболее значимые публикации:
1. Shubin N. M., Friman A. V., Kapaev V. V., Gorbatsevich A. A. Bound states in the continuum in asymmetrical quantum-mechanical and electromagnetic waveguides //Physical Review B. – 2021. – Т. 104. – №. 12. – С. 125414.
2. Shubin N., Emelianov A., Uspenskii Yu., Gorbatsevich A. Interacting resonances and antiresonances in conjugated hydrocarbons: exceptional points and bound states in the continuum //Physical Chemistry Chemical Physics. – 2021. – Т. 23. – №. 37. – С. 20854-20866.
3. Friman A. V., Shubin N. M., Kapaev V. V., Gorbatsevich A. A. Subpicosecond light pulses induced by Fano antiresonance buildup process //Optics express. – 2020. – Т. 28. – №. 10. – С. 14590-14604.
4. Shubin N. M., Gorbatsevich A. A., Krasnikov G. Y. Non-Hermitian Hamiltonians and Quantum Transport in Multi-Terminal Conductors //Entropy. – 2020. – Т. 22. – №. 4. – С. 459.
5. Gorbatsevich A. A., Krasnikov G. Y., Shubin N. M. PT-symmetric interference transistor //Scientific Reports. – 2018. – Т. 8. – №. 1. – С. 1-11.
6. Gorbatsevich A. A., Shubin N. M. Unified theory of resonances and bound states in the continuum in Hermitian tight-binding models //Physical Review B. – 2017. – Т. 96. – №. 20. – С. 205441.