Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
Петухов Иван Николаевич

Краткая биография

Общий стаж работы – 14 лет. Стаж работы по специальности – 11 лет.

В 2005 году окончил МИЭТ с присуждением степени магистра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

По окончании института работает на кафедре общей химии и экологии, с 2013 года кафедре общей и физической химии, с 2018 года Институте перспективных материалов и технологий в должностях инженер-программист, старший преподаватель (с 2008 года).

Читаемые курсы

Ведет лабораторный практикум и семинары по курсам:

  • Общая химия

  • Неорганическая химия

  • Экология

  • Экология высокоинтегрированных технологий

Для учащихся школ проводит элективные курсы «Юный химик» и «Химия и материалы в технологических процессах»

Научная деятельность

Область научных интересов: технологии микроэлектроники, электрохимия (электрохимическое осаждение металлов, методы контроля экотоксикантов)

Является соавтором 56 научных публикаций по вопросам технологии микроэлектроники, химии и экологии

Основные публикации:

1. В.М. Рощин, В.Л. Дшхунян, И.Н. Петухов, К.С. Сеньченко, В.Р. Кухтяева «Исследование процессов электрохимического формирования
контактных структур для сборки интегральных микросхем» / (Неорганические материалы, 2015, том 51, №3), с.344-348.

2. Патент RU 2540622 C2 Российская Федерация, МПК C 01 B 31/00, B 82 B 1/00. Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама / Рощин В.М., Петухов И.Н., Сеньченко К.С., Басс М.В.

3. M.S. Mikhailova, V.M. Roschin, Yu.I. Shilyaeva, I.N. Petukhov, V.A. Fedorov «Electrochemical deposition of Ag-Sn alloys onto copper and titanium plates»/ (Inorganic Materials, 2016, Volume 52, Issue 12), DOI: 10.1134/S0020168516110091, pp 1220-1223.

4. В.М. Рощин, В.Л. Дшхунян, И.Н. Петухов, К.С. Сеньченко, М.С. Вагин «Физико-химические особенности осаждения перитектических сплавов для высокоплотного монтажа кремниевых кристаллов» / (Микроэлектроника, 2016, том 45, №5), с.352-356.

5. Т. И. Хаханина, Н. Г. Никитина, И. Н. Петухов. / Химия окружающей среды: учебник для академического бакалавриата— 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Издательство Юрайт, 2017. — 233 с.

6. Патент RU 2600514 C1 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/228 (2006.01). Способ изготовления вертикальных контактных структур на полупроводниковых пластинах или печатных платах/ Рощин В.М., Петухов И.Н., Сеньченко К.С., Рощина А.В.

7. V.M. Roshchin, I.N. Petukhov, K.S. Sen`chenko, A.V. Roshchina, and T.V. Shilina « Formation of two-component vertical contact structures for mounting integrated-circuit chips»/ (Russian Microelectronics, 2017, Vol. 46, № 7), DOI: 10.1134/S10 637397170700 95, pp 454-457.

8. Г.Я. Красников, Е.С. Горнев, В.М. Рощин, В.Б. Яковлев, И.Н. Петухов «Электрохимические процессы в технологии формирования матричной структуры выводов микросборок» / Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника, 2017, №3(167), с. 22-27.

9. V. Roshchin, I. Petukhov, K. Senchenko, T. Shilina, A. Roshchina «The system analytical approach to the study of the formation of materials for solder bonding»/ The 2017 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (2017 ElConRus) papers, pp 1194-1196.

10. И.Н. Петухов, А.С. Гак «Исследование процессов электрохимического осаждения систем Sn-Ag и In-Ag заданного состава при формировании контактных структур» / Электронные информационные системы, №3(18), 2018, с. 81-87.