| Подразделение | Должность |
| Кафедра высшей математики № 1 | Преподаватель |
Краткая биография
В 2012 году с отличием окончил НИУ МИЭТ, факультет ЭКТ, магистратура Института проектирования приборов и систем (ИППС, Device and system design, Cadence) по специальности «Электроника и наноэлектроника». Выпускник аспирантуры НИУ МИЭТ (2016 г.).
С 2020 года преподаватель довузовской подготовки МИЭТ. Преподаватель Лицея Академии Яндекса. Входит в преподавательский состав кафедры ВМ-1 с 2021 года.
Повышение квалификации
- Диплом о профессиональной переподготовке по программе «Учитель математики и физики. Педагогическая деятельность по проектированию и реализации образовательного процесса в соответствии с ФГОС», АНО НИИДПО, 2021 г.
- Удостоверение о повышении квалификации по программе «Организация и технология разработки электронных учебных курсов в LMS Moodle», Ярославский государственный университет, 2021 г.
Читаемые курсы
Проводит семинарские занятия и компьютерный практикум по следующим дисциплинам:
- Математический анализ
- Алгебра и геометрия
- Дифференциальные уравнения
Научная деятельность
Основные научные публикации:
- Карташёв С.С. Схема считывания информации из энергонезависимой памяти // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014, Сборник трудов / под. общ. ред. академика РАН А.Л. Стемковского. М.: ИППМ РАН, 2014 Часть IV. С. 3-6.
- Карташёв С.С., Лосев В.В., Крупкина Т.Ю. Исследование и разработка схемы последовательного доступа к flash-памяти // Известия вузов. Электроника. - 2016 - т. 21, № 5 - С. 478 - 482.
- Карташёв С.С., Лосев В.В. Моделирование элемента памяти с учетом дискретного зарядового состояния плавающего затвора МОП-транзистора // Известия вузов. Электроника. - 2016 - т.21, № 6 - С. 586 - 589.
- Карташёв С.С., Игнатьев С.М. Схема храниния и считывания информации энергонезависимого запоминающего устройства. Патент 132601 РФ, МПК G 11 C 7/02. - № 2013125006/08; Заявлено 30.05.2013; Опубликовано 20.09.2013.