НИУ МИЭТ/Университет/Ведущий технический/Педагогический состав/Королев Михаил Александрович





    

            
        

            
    
    
            
    Королев Михаил Александрович
            доктор технических наук, профессор
            

                    

            
 ПодразделениеДолжность

                        
Институт интегральной электроники имени академика К.А. Валиева (ИнЭл)профессор

            
                        

           
                 
        
        
        

                        

                Телефон:
                (499) 720-87-24
            

                                                

                E-mail:
                

                 
            
   
              
                        
                        

                Аудитория:
                4238
            

                    

    

    

        
Краткая биография

        

	 Окончил Московский химико-технологи­ческий ин-т им. Д.И. Менделеева (1957).




	 В МИЭТе работает с 1971 года. Декан факультета электроники и компьютерных технологий (с 1995 по февраль 2007 г.).




	 Действительный член Метрологической академии РФ, член-корреспондент Международной академии информати­зации. Награжден орденом Почета РФ, четырьмя медалями.




	 Заслуженный деятель науки РФ, Лауреат премии Правительства РФ в области образования. Почетный работник электронной промышленности СССР. Награжден нагрудными знаками Минвуза СССР и «Изобретатель СССР». Заслуженный профессор МИЭТа.

    

        

        
Читаемые курсы

         
  • 
	
    
		 Базовая КМОП-технология
	
    
 
    • 
	
  • 
	
    
		 Базовая КМОП-технология. Спецразделы
	
    
 
    • 

    

          
          

        
Научная деятельность

        





	 Ученый в области физики и технологии полупрово­дниковых приборов и интегральных микросхем; методологии высшего образования.




	 Автор более 250 научных трудов, в т.ч.:



	 1. Цифровые интеграль­ные схемы на МДП-транзисторах: Монография. — М.: Сов. радио, 1971.




	 2. Сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих устройств: Монография. — М.: Радио и связь, 1991.




	 3. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.1 Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2012. – электронное издание.




	 4. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Шевяков В.И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.2 Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. – 2012. – электронное издание.




	 5. Королев М.А., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А., «Активные методы обучения на основе программных средств TCAD», труды международной научно-технической конференции «Компьютерное моделирование 2009», Санкт-Петербург, 2009. С. 200-20.




	 6. Королев М.А., Чаплыгин Ю.А. «Учебные центры в системе элитного технического образования», Машиностроение и инженерное образование. 2005 №1.




	 7. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. «Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники», Известия вузов.ЭЛЕКТРОНИКА. № 4-5 2005.




	 8. Korolev M.A., Kozlov A.V., Krasukov A.Y., Devlikanova S.S. Increased magnetics sensitivity of the SOI field-effect Hall sensor // Proceedings of the IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus. 2018. P. 1376-1379. DOI: 10.1109/ElConRus.2018.8317353.




	 9. M. A. Korolyov, N. Shelepin, A. Klyuchnikov and D. Efimova, "Subthreshold current decrease in the SOI junctionless MOSFET," 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), Moscow, 2018, pp. 1380-1382.

	 doi: 10.1109/EIConRus.2018.8317354.




	 10. Королев М.А., Чаплыгин Ю.А., Ключников А.С., Ефимова Д.И. Планарный КНИ беспереходной МОП-транзистор // Электронная техника Сер.3. Микроэлектроника. 2018. Вып. 1(169). С. 5 -13.




	 11. Королев М. А., Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2018. Сборник трудов М.:ИППМ РАН, 2018, Часть IV. C.10-15.




	 12. М.А. Королев, Ю.А.Чаплыгин, А.Ю.Красюков, Т.Ю.Крупкина. 3D двухзатворный беспереходной МОП-транзистор // Электронная техника Сер.3. Микроэлектроника. 2018. Вып. 2(170). С. 3 -18.




	 13. Королев М.А., Ключников А.С., Ефимова Д.И. Беспереходной МОП-транзистор с низким подпороговым током // Известия вузов. Электроника. -2018. - Том 3, № 2. - С.186 -193.




	 14. M. A. Korolyov, Svetlana S. Devlikanova, A.V. Kozlov, V. N. Mordkovich, A.V. Leonov The Study of SOI Split-drain Field-effect Hall sensor In Partial Depletion Mode Proceedings of the 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus.2019.




	 15. Королев М.А., Козлов А.В., Красюков А.Ю., Девликанова С.С. Устойчивость работы КНИ ПДХ в режиме неполного обеднения при колебании потенциала затвора с сохранением приложенного магнитного поля Polish journal of science – 2019. – V. 1. – № 22.








	 16. M. A. Korolyov, Anton V. Kozlov, Anton Y. Krasyukov, Svetlana S. Devlikanova Expanding the range of possible changes in the gate potential of SOI Field Effect Hall Sensor in partial depletion mode with the preservation of the measured magnetic field // Proceedings of the 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus. 2020.