Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  
Путря Михаил Георгиевич доктор технических наук, профессор

Краткая биография

Родился в 1955 году. Выпускник МИЭТа 1978 года.

В МИЭТе работает с 1978 г: инженер, научный сотрудник, старший научный сотрудник, начальник сектора, начальник лабора­тории, начальник отдела НПК «Технологический центр» МИЭТа (до 1999); доцент (1999 - 2002), профессор (с 2002 г.) кафедры интегральной электроники и микросистем.

Читаемые курсы

  • Технология ИМС

Научная деятельность

Ученый в области технологии СБИС и плазменной обработки нано- и микроструктур

Автор более 130 научных работ (включая 17 изобретений), в т.ч.:

  • Исследование процессов травления микроструктур в высокочастотной плазмe // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. — 1999. — № 2; Implementation of High-density plasma reactors in VLSI Technology // Problems of Submicron Technology. — 2000. — V. 16.
  • Research and Development of Deep Anisotropic Plasma Silicon Etching Process to Form MEMS Structures. Russian Microelectronics, 2012, Vol. 41, No. 7, pp. 9–13
  • Оценка надежности алюминиевой металлизации интегральных схем при проведении. Известия вузов. Электроника. №1(87), с. 35-39, 2014 г.
  • Определение электромиграционных параметров металлических проводников на основе проведения ускоренных испытаний. Известия вузов. Электроника. Том 20, №2, 2015 г., с.182-187
  • Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – Ч. 2. – Вып. 2. Под ред. Чаплыгина Ю.А.
  • Введение в дизайн фотошаблонов для изготовления микро- и наносистем. Cadence MaskCompose. Изд-во Бином, 2013 г. под. Редакцией В.А. Беспалова
  • Нанотехнологии в электронике. Изд-во Техносфера. 2013 г. Под ред. Чаплыгина Ю.А.