| Шифр совета | 24.2.342.02 |
| Дата размещения объявления | 30.09.2026 |
| Соискатель | Подорожний Олег Витальевич |
|---|
| Название диссертации | Атомистическое моделирование и просвечивающая электронная микроскопия структуры кремния и бинарных ковалентных материалов после облучения ионами галлия и ксенона |
|---|
| Дата защиты | 10.12.2026 |
|---|
| Шифр | 1.3.8. |
|---|
| Специальность | Физика конденсированного состояния |
|---|
| Отрасль науки | Физико-математические науки |
|---|
| Автореферат | Загрузить
|
|---|
| Текст диссертации | Загрузить
|
|---|
| Решение ДС о приеме к защите диссертации | Загрузить
|
|---|
| Отзыв научного руководителя | Загрузить
|
|---|
| Сведения о ведущей организации | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук: 142432, г. Черноголовка, Московская область, ул. Академика Осипьяна, д. 6; +7(496)524-40-60; general@iptm.ru; https://www.iptm.ru. |
|---|
| Сведения об оппонентах | Бачурин Владимир Иванович - доктор физико-математических наук (01.04.04.), ведущий научный сотрудник обособленного подразделения "Отдел микротехнологий" Отделения физико-технологических исследований им. К.А. Валиева Центра перспективной микроэлектроники НИЦ "Курчатовский институт"; Гутаковский Антон Константинович - кандидат физико-математических наук (01.04.07.), ведущий научный сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. |
|---|